Name: Vishay Siliconix IRF640S
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRF640S
Availability: InStock
Rating: 5 (487 reviews)

Vishay Siliconix IRF640S

Artikelnummer:

IRF640S

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

Datenblätte:

1.IRF640S.pdf ···: 2D -Zeichnungen
IRF640S(L)/SIHF640S(L).pdf

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Lead free / RoHs compliant

ECAD -Modell:

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DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS

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Spezifikationen
Einkaufshandbuch
Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix IRF640S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IRF640S.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	D²PAK (TO-263)
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180mOhm @ 11A, 10V
Verlustleistung (max)	3.1W (Ta), 130W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket	Tube
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	70 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	18A (Tc)
Grundproduktnummer	IRF640
IRF640S Einzelheiten PDF [English]	IRF640S PDF - EN.pdf

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Die Rückgaben müssen innerhalb von 60 Tagen nach dem Datum der Rechnung angefordert werden und enthalten:
- Originalrechnungsnummer
- Foto der Teile
- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
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